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Services de gestion d'entreprise de route en soie de Pékin Cie., Ltd

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C2M1000170D

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :2.4V @ 100µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :TO-247-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :13 nC @ 20 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :1.1Ohm @ 2A, 20V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :20V

Package :Tube

Drain to Source Voltage (Vdss) :1700 V

Vgs (Max) :+25V, -10V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :191 pF @ 1000 V

Mounting Type :Through Hole

Series :Z-FET™

Supplier Device Package :TO-247-3

Mfr :Wolfspeed, Inc.

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :4.9A (Tc)

Power Dissipation (Max) :69W (Tc)

Technology :SiCFET (Silicon Carbide)

Base Product Number :C2M1000170

Description :SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

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Mots clés du produit:

XC3S100E-4TQG144C

XC3S100E-4TQG144I

XC3S100E-5TQG144C

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C2M1000170D

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

C2M1000170D

XC3S100E-4TQG144C

XC3S100E-4TQG144I

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