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IRFH8318TRPBF

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :2.35V @ 50µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :8-PowerTDFN

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :41 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :3.1mOhm @ 20A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :30 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :3180 pF @ 10 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :HEXFET®

Supplier Device Package :PQFN (5x6)

Mfr :Infineon Technologies

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :27A (Ta), 120A (Tc)

Power Dissipation (Max) :3.6W (Ta), 59W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :IRFH8318

Description :MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

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Mots clés du produit:

pf113a e

PCF7947AT

LF347DR

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IRFH8318TRPBF

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

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