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Services de gestion d'entreprise de route en soie de Pékin Cie., Ltd

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CSD16327Q3

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :1.4V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :8-PowerTDFN

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :8.4 nC @ 4.5 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :4mOhm @ 24A, 8V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :3V, 8V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :25 V

Vgs (Max) :+10V, -8V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :1300 pF @ 12.5 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :NexFET™

Supplier Device Package :8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Mfr :Texas Instruments

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :60A (Tc)

Power Dissipation (Max) :3W (Ta)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :CSD16327

Description :MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON

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But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

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