BD435G
Transistor Polarity :NPN
Product Category :Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style :Through Hole
Maximum DC Collector Current :4 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :32 V
Package / Case :TO-225-3
Maximum Operating Temperature :+ 150 C
Gain Bandwidth Product fT :3 MHz
Configuration :Single
Collector- Base Voltage VCBO :32 V
Series :BD435
Emitter- Base Voltage VEBO :5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage :500 mV
Manufacturer :onsemi
Description :Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V
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