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STGF3NC120HD

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STGF3NC120HD

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Gate-Emitter Leakage Current :+/- 100 nA

Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :6 A

Pd - Power Dissipation :25 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1200 V

Package / Case :TO-220-3 FP

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :2.8 V

Manufacturer :STMicroelectronics

Description :IGBT Transistors N-Ch 1200 Volt 3 Amp

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