Transistor Polarity :N-Channel
Technology :GaN
Product Category :RF JFET Transistors
Mounting Style :SMD/SMT
Gain :18.5 dB
Transistor Type :HEMT
Output Power :60 W
Package / Case :QSOP-20
Maximum Operating Temperature :+ 90 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :150 V
Packaging :Reel
Maximum Drain Gate Voltage :-
Id - Continuous Drain Current :6.3 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage :- 10 V to + 2 V
Pd - Power Dissipation :-
Manufacturer :Wolfspeed / Cree
Description :RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
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