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Pays / Région:china

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Transistor Polarity :N-Channel

Technology :GaN SiC

Product Category :RF JFET Transistors

Mounting Style :SMD/SMT

Gain :19.2 dB

Transistor Type :HEMT

Output Power :46.4 dBm

Package / Case :Die

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :32 V

Packaging :Waffle

Maximum Drain Gate Voltage :100 V

Id - Continuous Drain Current :2.5 A

Pd - Power Dissipation :41 W

Manufacturer :Qorvo

Description :RF JFET Transistors DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm

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Le TGF2955, de Qorvo, est rf JFET Transistors.what nous offrir d'avoir le prix concurrentiel sur le marché global, qui sont dans les pièces originales et nouvelles. Si vous voudriez connaître plus au sujet des produits ou appliquer un prix inférieur, svp contactez-nous par « la causerie en ligne » ou envoyez-une citation nous !

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