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Pays / Région:china

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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :5.3V

Product Category :RF Bipolar Transistors

Gain :12.5dB

Transistor Type :NPN

Minimum Quantity :3000

Supplier Device Package :UFM

Noise Figure (dB Typ @ f) :1.45dB @ 1GHz

Part Status :Active

Current - Collector (Ic) (Max) :100mA

Power - Max :900mW

Packaging :Tape & Reel (TR)

Frequency - Transition :11.2GHz

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V

Operating Temperature :150°C (TJ)

Package / Case :3-SMD, Flat Leads

Mounting Type :Surface Mount

Series :-

Manufacturer :Toshiba Semiconductor

Description :RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

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Le MT3S113TU, SI, de semi-conducteur de Toshiba, est rf Transistors.what bipolaire nous offrir d'avoir le prix concurrentiel sur le marché global, qui sont dans les pièces originales et nouvelles. Si vous voudriez connaître plus au sujet des produits ou appliquer un prix inférieur, svp contactez-nous par « la causerie en ligne » ou envoyez-une citation nous !

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