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Pays / Région:china

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Product Category :IGBT Transistors

Mounting Style :Through Hole

Continuous Collector Current at 25 C :20 A

Pd - Power Dissipation :100 W

Collector- Emitter Voltage VCEO Max :1.2 kV

Package / Case :TO-247-3

Maximum Operating Temperature :+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage :+/- 20 V

Packaging :Tube

Configuration :Single

Collector-Emitter Saturation Voltage :3.1 V

Manufacturer :IR / Infineon

Description :IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT

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