Caractéristiques électriques
• Tvj op = 175°C
• Température de fonctionnement prolongée Tvj op
• Robustesse imbattable
• Fossé IGBT 5
• Capacité élevée de court-circuit

Caractéristiques mécaniques
• Paquet avec CTI>400
• Densité de puissance élevée
• Capacité de puissance élevée et de mise en chauffage
• Distances élevées d'ascension et de dégagement

Inverseur d'IGBT
Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
Courant de collecteur continu de C.C	Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C	Nom d'IC	1500
Courant de collecteur maximal répétitif	tP = 1 Mme	ICRM	3000
tension de crête de Porte-émetteur	VGES	+/--20	V

Type minimal de valeurs de caractéristique. maximum.

Tension de saturation de collecteur-émetteur	IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V IC = 1500 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	VCE s'est reposé	1,70 2,00 2,15	2,15 2,45 2,60	VVV
Tension de seuil de porte	IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,25	5,80	6,35	V
Charge de porte	VGE = -15 V… +15 V, VCE = 600V	QG	7,15	µC
Résistance interne de porte	Tvj = 25°C	RGint	0,6	Ω
Capacité d'entrée	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies	82,0	N-F
Capacité inverse de transfert	f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres	3,25	N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C	GLACE	5,0	mA
courant de fuite de Porte-émetteur	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C	IGES	400	Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	le TD dessus	0,26 0,28 0,28	µs µs µs
Temps de montée, charge inductive	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	TR	0,16 0,17 0,18	µs µs µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	le TD	0,51 0,56 0,59	µs µs µs
Temps de chute, charge inductive	IC = 1500 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	tf	0,09 0,11 0,13	µs µs µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion	IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, di/dt = 7900 A/µs (Tvj = 175°C) RGon = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	Éon	120 180 215	MJ MJ MJ
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion	IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) RGoff = Ω 0,82 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C	Eoff	155 195 220	MJ MJ MJ
Données de Sc	≤ 15 V, VCC = 900 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 175°C	ISC	5600
Résistance thermique, jonction à enfermer	Chaque IGBT/par IGBT	RthJC	19,5	K/kW
Résistance thermique, cas au radiateur	chaque IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease =1 avec (m·K)	RthCH	12,5	K/kW
La température dans des conditions de changement	Tvj op	-40	175	°C

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