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C- Le demi module du pont IGBT de série, 1200V 450A conjuguent des turbines de vent du module FF450R12KT4 d'IGBT

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C- Le demi module du pont IGBT de série, 1200V 450A conjuguent des turbines de vent du module FF450R12KT4 d'IGBT

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Numéro de type :FF450R12KT4
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :1 jeu
Conditions de paiement :T/T.
Capacité d'approvisionnement :1000sets
Délai de livraison :25 jours après la signature du contrat
Détails d'emballage :Emballage de boîte en bois
VCES :1200V
Nom d'IC :450A
ICRM :900A
Applications :Commandes de moteur
Caractéristiques électriques :Basses pertes de commutation
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série C du moitié-pont 62mm 1200 V, 450 doubles IGBT turbines de vent des modules FF450R12KT4 d'A

Applications typiques

• Convertisseurs de puissance élevée

• Commandes de moteur

• Systèmes d'UPS

• Turbines de vent

Caractéristiques électriques

• La température prolongée Tvj d'opération op

• Basses pertes de commutation

• Bas VCEsat

• Robustesse imbattable

• VCEsat avec le coefficient de température positif

Caractéristiques mécaniques

• 4 kilovolts d'isolation à C.A. 1min

• Paquet avec CTI > 400

• Distances élevées d'ascension et de dégagement

• Densité de puissance élevée

• Embase d'isolement

• Logement standard

IGBT, inverseur

Valeurs évaluées maximum

Tension de collecteur-émetteur Tvj = 25°C VCES 1200 V
Courant de collecteur continu de C.C

Comité technique = 100°C,

Tvj maximum = 175°C
Comité technique = 25°C,

Tvj maximum = 175°C

Nom d'IC
IC

450

580

A

A

Courant de collecteur maximal répétitif tP = 1 Mme ICRM 900 A
Dissipation de puissance totale

Comité technique = 25°C,

Tvj maximum = 175°C

Ptot 2400 W
tension de crête de Porte-émetteur VGES +/--20 V

Valeurs caractéristiques

Tension de saturation de collecteur-émetteur IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C
VCE reposé 1,75
2,05
2,10
2,15 V
VV
Tension de seuil de porte IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Charge de porte VGE = -15 V… +15 V QG 3,60 µC
Résistance interne de porte Tvj = 25°C RGint 1,9
Capacité d'entrée f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 N-F
Capacité inverse de transfert f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 N-F
Courant de coupure de collecteur-émetteur VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C GLACE 5,0 mA
courant de fuite de Porte-émetteur VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 Na
Temps de retard d'ouverture, charge inductive IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
le TD dessus 0,16 0,17
0,18
µs
µs
µs
Temps de montée, charge inductive IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
TR 0 045 0,04
0,05
µs
µs
µs
Temps de retard d'arrêt, charge inductive IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
le TD 0,45 0,52
0,54
µs
µs
µs
Temps de chute, charge inductive IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
tf 0,10 0,16
0,18
µs
µs
µs
Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω Tvj = 150°C
Éon 19,0
30,0
36,0
19,0
30,0
36,0
Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150°C
Eoff 26,0
40,0
43,0
MJ
MJ
MJ
Données de Sc ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE
VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C
ISC 1800 A
Résistance thermique, jonction au cas IGBT/par IGBT RthJC 0 062 K/W
Résistance thermique, radiateur de caseto CHAQUE IGBT/par IGBT
λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K)
RthCH 0,03 K/W
La température dans des conditions de commutation Tvj op -40 150 °C

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