Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
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Infineon FF50R12RT4 les 34 millimètres bien connus 1200V conjuguent des modules d'IGBT avec le fossé/fieldstop IGBT4 et l'émetteur rapides commandé
Applications typiques
• Convertisseurs de puissance élevée
• Commandes de moteur
• Systèmes d'UPS
Caractéristiques électriques
• La température prolongée Tvj d'opération op
• Basses pertes de commutation
• Bas VCEsat
• Tvj op = 150°C
• VCEsat avec le coefficient de température positif
Caractéristiques mécaniques
• Embase d'isolement
• Logement standard
IGBT, inverseur
Valeurs évaluées maximum
| Tension de collecteur-émetteur | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| Courant de collecteur continu de C.C | Comité technique = 100°C, Tvj maximum = 175°C | Nom d'IC | 50 | A |
| Courant de collecteur maximal répétitif | tP = 1 Mme | ICRM | 100 | A |
| Dissipation de puissance totale | Comité technique = 25°C, Tvj maximum = 175°C | Ptot | 285 | W |
| tension de crête de Porte-émetteur | VGES | +/--20 | V |
Valeurs caractéristiques
| Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C |
VCE reposé | 1,85 2,15 2,25 |
2,15 | V VV |
|
| Tension de seuil de porte | IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| Charge de porte | VGE = -15 V… +15 V | QG | 0,38 | µC | ||
| Résistance interne de porte | Tvj = 25°C | RGint | 4,0 | Ω | ||
| Capacité d'entrée | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 2,80 | N-F | ||
| Capacité inverse de transfert | f = 1 mégahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,10 | N-F | ||
| Courant de coupure de collecteur-émetteur | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C | GLACE | 1,0 | mA | ||
| courant de fuite de Porte-émetteur | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C | IGES | 100 | Na | ||
| Temps de retard d'ouverture, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C |
le TD dessus | 0,13 0,15 0,15 |
µs µs µs |
||
| Temps de montée, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C |
TR | 0,02 0,03 0 035 |
µs µs µs |
||
| Temps de retard d'arrêt, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C |
le TD | 0,30 0,38 0,40 |
µs µs µs |
||
| Temps de chute, charge inductive | IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C |
tf | 0 045 0,08 0,09 |
µs µs µs |
||
| Déperdition d'énergie d'ouverture par impulsion | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C |
Éon | 4,50 6,50 7,50 |
19,0 30,0 36,0 |
||
| Déperdition d'énergie d'arrêt par impulsion | IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C |
Eoff | 2,50 4,00 4,50 |
MJ MJ MJ |
||
| Données de Sc | ≤ 15 V, VCC = 800 V DE VGE VCEmax = VCES - LsCE ·µs du ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C |
ISC | 180 | MJ MJ MJ |
||
| Résistance thermique, jonction au cas | IGBT/par IGBT | RthJC | 0,53 | K/W | ||
| Résistance thermique, radiateur de caseto | CHAQUE IGBT/par IGBT λPaste = 1 avec (m·K)/λgrease = 1 avec (m·K) |
RthCH | 0 082 | K/W | ||
| La température dans des conditions de commutation | Tvj op | -40 | 150 | °C |