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Shenzhen Res Electronics Limited

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Transistor MOSFET simple 20V 9A 8WDFN de puissance de la Manche des FETs P de puce d'IC de transistor de NTTFS3A08PZTAG

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China Transistor MOSFET simple 20V 9A 8WDFN de puissance de la Manche des FETs P de puce d'IC de transistor de NTTFS3A08PZTAG wholesale
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Transistor MOSFET simple 20V 9A 8WDFN de puissance de la Manche des FETs P de puce d'IC de transistor de NTTFS3A08PZTAG
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Number modèle :NTTFS3A08PZTAG
Point d'origine :L'Amérique
Quantité d'ordre minimum :discutable
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :mois 10000pcs/one
Délai de livraison :3~10 jours
Détails de empaquetage :Paquet original
Type :Transistor MOSFET
D/C :Norme
Type de paquet :WDFN-8
Application :Norme
Type de fournisseur :Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre
Médias disponibles :la fiche technique, la photo, EDA/CAD modèle, autre
Marque :Transistor MOSFET
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) :20 V
Température de fonctionnement :-55 ℃ ℃~150
Montage du type :Bâti extérieur
Paquet/cas :WDFN-8, WDFN-8
Vidangez à la tension de source (Vdss) :20 V
Nombre d'éléments :1
Nombre de goupilles :8
Max Operating Temperature :°C 150
configuration d'élément :simple
Min Operating Temperature :-55 °C
Temps de montée :56 NS
Le RDS sur maximum :mΩ 6,7
Nombre de canaux :1
RoHS :Conforme
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P-canal simple des transistors MOSFET P-CH 20V 9A 8WDFN de FETs de transistors de NTTFS3A08PZTAG

 

Description de produits :

1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, transistor MOSFET de puissance de P-canal

2. wdfn extérieur du bâti 840mW (merci) du P-canal 20V 9A (ventres) 8 (3.3x3.3)

3. PE T/R du transistor MOSFET P-CH 20V 22A 8-Pin WDFN de transport

4. composants -20V, - 15A, 6.7m, puissance MOSFETMOS NTTFS3A08PZTAG de canal de P

 

 

Garantie de la qualité :
1. Chaque processus de fabrication a une personne spéciale à examiner pour assurer la qualité
2. Ayez les ingénieurs professionnels pour vérifier la qualité
3. Tous les produits ont passé le CE, la FCC, le ROHS et d'autres certifications

 

 

Paramètres technologiques :

Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 9A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 6.7mOhm @ 12A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 56 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 5000 PF @ 10 V
Dissipation de puissance (maximum) 840mW (ventres)
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
Nombre bas de produit NTTFS3

 

Image de produit :

Transistor MOSFET simple 20V 9A 8WDFN de puissance de la Manche des FETs P de puce d'IC de transistor de NTTFS3A08PZTAG

Garantie de la qualité :

1. Chaque processus de fabrication a une personne spéciale à examiner pour assurer la qualité

2. Ayez les ingénieurs professionnels pour vérifier la qualité

3. Tous les produits ont passé le CE, la FCC, le ROHS et d'autres certifications

 

Mots clés du produit:

n channel mosfet transistor

to220 mosfet

transistor mosfet n
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