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China Appui courant IC BOM de la puce de mémoire de Vishay IC IC IS62WV51216BLL-55TLI wholesale

Appui courant IC BOM de la puce de mémoire de Vishay IC IC IS62WV51216BLL-55TLI

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Number modèle :SI2301CDS-T1-GE3

Point d'origine :LES Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :1

Conditions de paiement :D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacité d'approvisionnement :10000PCS PAR SEMAINE

Détails de empaquetage :STANDRAD

Catégorie de produit :VISHAY

Série :SI2301CDS-T1-GE3

Montage du style :SMD/SMT

Paquet/cas :TQFP-64

Noyau :AVR

Capacité de la mémoire de programme :kB 16

Largeur de bus de données :bit 8

Résolution de CDA :bit 10

Fréquence du signal d'horloge maximum :16 mégahertz

Nombre d'I/Os :Entrée-sortie 54

Données RAM Size :1 kB

Tension d'alimentation - minute :1,8 V

Tension d'alimentation - maximum :5,5 V

Température de fonctionnement minimum :- 40 C

Température de fonctionnement maximum :+ 85 C

emballage :MouseReel

marque :VISHAY

Données RAM Type :SRAM

Données ROM Size :512 B

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IC courant (appui de puce de mémoire de composants électroniques IC BOM) IS62WV51216BLL-55TLI

SERVICE INFORMATIQUE MT41K256M16TW-107 : P

Numéro de la pièce de Digi-clé
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - Coupez la bande (les CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Fabricant Product Number
SI2301CDS-T1-GE3
Description
Transistor MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Description détaillée
P-canal 20 V 3.1A (comité technique) 860mW (merci), 1.6W (comité technique) bâti SOT-23-3 (TO-236) de la surface

Fabricant :	Vishay
Catégorie de produit :	Transistor MOSFET
RoHS :	Détails
Technologie :	SI
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOT-23-3
Polarité de transistor :	P-canal
Nombre de canaux :	La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source :	20 V
Identification - courant continu de drain :	3,1 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :	112 mOhms
Vgs - tension de Porte-source :	- 8 V, + 8 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :	1 V
Qg - charge de porte :	3,3 OR
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Palladium - dissipation de puissance :	1,6 W
Mode de la Manche :	Amélioration
Nom commercial :	TrenchFET
Série :	SI2
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	MouseReel
Marque :	Semi-conducteurs de Vishay
Configuration :	Simple
Temps de chute :	10 NS
Type de produit :	Transistor MOSFET
Temps de montée :	35 NS
Quantité de paquet d'usine :	3000
Sous-catégorie :	Transistors MOSFET
Type de transistor :	1 P-canal
Temps de retard d'arrêt typique :	30 NS
Temps de retard d'ouverture typique :	11 NS
Partie # noms d'emprunt :	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
Poids spécifique :	0,000282 onces

FAQ

Q1 : Au sujet de la citation d'IC BOM ?  A1 : La société a les canaux d'achat des fabricants originaux de circuit intégré ici et ailleurs et d'une équipe professionnelle d'analyse de solution de produit pour choisir les composants électroniques de haute qualité et bons marchés pour des clients.
Q2 : Citation pour des solutions de carte PCB et de PCBA ?
A2 : L'équipe professionnelle de la société analysera la gamme d'application des solutions de carte PCB et de PCBA fournies par le client et les conditions de paramètre de chaque composant électronique, et fournit finalement à des clients les solutions de haute qualité et bonnes marchées de citation.
Q3 : Au sujet de la conception de circuit intégré au produit fini ?
A3 : Nous avons un ensemble complet des services d'inspection de conception de gaufrette, de production de gaufrette, d'essai de gaufrette, d'emballage et d'intégration d'IC, et d'IC de produit.
Q4 : Fait notre société ont une condition de la quantité d'ordre minimum (MOQ) ?
A4 : Non, nous n'avons pas la condition de MOQ, nous pouvons soutenir vos projets à partir des prototypes aux productions en série.
Q5 : Comment s'assurer que les informations clients n'est-il pas coulé ?
A5 : Nous sommes disposés à signer l'effet de NDA par loi locale de côté de client et la promesse de maintenir des données de clients dans le niveau confidentiel élevé.

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