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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET
Type de FET :N-canal
statut du produit :Actif
Type de montage :Monture de surface
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Série :Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de la situation.
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :30 mA @ 15 V
Mfr :InterFET
Tension - identification de la coupure (VGS) @ :1.2 V @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :Le SOT-23-3
Emballage / boîtier :Le SOT-23-3
Puissance maximale :350 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :28pF @ 15V
Résistance - le RDS (dessus) :20 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :20 V
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Définition :JFET N-canal -20V faible bruit
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