SDRAM - mémoire IC MT46V16M16P-5B de la RDA : Parallèle de M 256Mbit 200 mégahertz 700 puce électronique de la picoseconde 66-TSOP IC
DESCRIPTION DE PRODUIT
Numéro de la pièce MT46V16M16P-5B : M est fabriqué par Micron Technology Inc et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.
Pour plus d'informations sur MT46V16M16P-5B : Les spécifications détaillées de M, citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité MT46V16M16P-5B : M à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.
Caractéristiques
• VDD = 2.5V ±0.2V, VDDQ = 2.5V ±0.2V
VDD = 2.6V ±0.1V, VDDQ = 2.6V ±0.1V (DDR400) 1
• Stroboscope bidirectionnel de données (DQS) transmis
reçu avec des données, c.-à-d., données source-synchrones
capture (x16 a deux – un par octet)
• Taux double interne et canalisée (la RDA)
architecture ; deux accès aux données par rhythme
• Entrées d'horloge différentielle (les CK et les CK#)
• Les commandes ont sélectionné sur chaque bord positif des CK
• DQS bord-a aligné avec des données pour READs ; centeraligned avec des données pour WRITEs
• DLL pour aligner des transitions de DQ et de DQS avec les CK
• Quatre banques internes pour le fonctionnement concurrent
• Le masque de données (DM) pour masquer écrivent des données
(x16 a deux – un par octet)
• Longueurs éclatées programmables (BL) : 2, 4, ou 8
• L'automobile régénèrent
– 64ms, cycle 8192 (AIT)
– 16ms, cycle 8192 (AAT)
• L'individu régénèrent (non disponible sur des dispositifs d'AAT)
• Long-avance TSOP pour la fiabilité améliorée (OCPL)
• entrée-sortie 2.5V (SSTL_2-compatible)
• L'option automatique concourante de pré-charge a soutenu
• t
Lock-out de RAS soutenu (t
RAP = t
RCD)
• AEC-Q100
• Soumission de PPAP
• temps de réponse 8D
