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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

L'ÉLECTRONIQUE CIE. DE STJK (HK), A LIMITÉ Qualité d'abord, réputation d'abord, service d'abord, clients d'abord.

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La Manche discrète 30V 100mA 150mW des dispositifs de semi-conducteur 3LP01SS-TL-H P

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Ville:hong kong
Pays / Région:china
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China La Manche discrète 30V 100mA 150mW des dispositifs de semi-conducteur 3LP01SS-TL-H P wholesale
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La Manche discrète 30V 100mA 150mW des dispositifs de semi-conducteur 3LP01SS-TL-H P
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Number modèle :3LP01SS-TL-H
Quantité d'ordre minimum :>=1pcs
Capacité d'approvisionnement :100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Délai de livraison :2-3Days
Détails de empaquetage :IVROGNE
Point d'origine :La Chine
Description :MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
Montage du type :Bâti extérieur
Température de fonctionnement :150°C
Paquet/cas :IVROGNE
Tension - approvisionnement :30V
Puissance - Max :150mW (Ta)
Impédance (maximum) (Zzt) :0.4Ohm
Nombre bas de produit :3LP01
Statut de produit :Actif
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Bâti 150mW (merci) extérieur discret du P-canal 30 V 100mA (ventres) des produits 3LP01SS-TL-H semiconducteurs SMCP

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce 3LP01SS-TL-H est fabriqué par onsemi et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées 3LP01SS-TL-H, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité 3LP01SS-TL-H à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET
Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss)
40V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
10A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1950pF @ 20V
Puissance - maximum
2W
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type

Bâti extérieur
Paquet/cas
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur
8-SOIC

La Manche discrète 30V 100mA 150mW des dispositifs de semi-conducteur 3LP01SS-TL-H P

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Mots clés du produit:

channel igbt toshiba semiconductor

p-channel mosfet sot-23

ss34 diode equivalent
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