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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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Bâti extérieur discret SOT-23-3 TO-236 des dispositifs de semi-conducteur NS9210B-0-175 43V 225MW

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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
Ville:hong kong
Pays / Région:china
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China Bâti extérieur discret SOT-23-3 TO-236 des dispositifs de semi-conducteur NS9210B-0-175 43V 225MW wholesale
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Bâti extérieur discret SOT-23-3 TO-236 des dispositifs de semi-conducteur NS9210B-0-175 43V 225MW
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Number modèle :NS9210B-0-175
Quantité d'ordre minimum :>=2pcs
Capacité d'approvisionnement :20000 acres/acres par Day+pcs+2-3days
Délai de livraison :2-3Days
Détails de empaquetage :Bande et bobine ; Coupez la bande ; Digi-bobine
Point d'origine :La Chine
Conditions de paiement :L/C, Western Union, MoneyGram, D/A, D/P, T/T
Description :DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3
Montage du type :Bâti extérieur
Température de fonctionnement :-65°C | 150°C
Paquet/cas :IVROGNE
Tension - approvisionnement :43V
Puissance - Max :225mW
Impédance (maximum) (Zzt) :93 ohms
Nombre bas de produit :SZMMBZ5260
Statut de produit :Actif
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NS9210B-0-175 bâti extérieur discret SOT-23-3 (TO-236) de la diode Zener 43 V 225 MW ±5% de dispositifs de semi-conducteur

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce NS9210B-0-175 est fabriqué par onsemi et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées NS9210B-0-175, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité NS9210B-0-175 à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET
Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss)
40V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
10A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
1950pF @ 20V
Puissance - maximum
2W
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type

Bâti extérieur
Paquet/cas
8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur
8-SOIC

 

Bâti extérieur discret SOT-23-3 TO-236 des dispositifs de semi-conducteur NS9210B-0-175 43V 225MW

Bâti extérieur discret SOT-23-3 TO-236 des dispositifs de semi-conducteur NS9210B-0-175 43V 225MW

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Mots clés du produit:

7 segment datasheet common anode

common anode 7 segment datasheet

surface mount diode identification
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