STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

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Dispositifs de semi-conducteur discrets d'IRFB4227PBF TO-220, transistor MOSFET 200V 65A de la Manche de N

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Ville:hong kong
Pays / Région:china
Contact:MrTom Guo
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Dispositifs de semi-conducteur discrets d'IRFB4227PBF TO-220, transistor MOSFET 200V 65A de la Manche de N

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Number modèle :IRFB4227PBF
Quantité d'ordre minimum :>=1pcs
Conditions de paiement :LC, T/T, D/A, D/P, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Délai de livraison :2-3Days
Détails de empaquetage :Ruban adhésif
Paquet/cas :TO-220
Température de fonctionnement :-40°C | 175°C (TJ)
Type d'installation :Bâti extérieur
Dissipation de puissance :330W (comité technique)
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Puce toute neuve et originale de transistor MOSFET du N-canal 200V/65A d'IRFB4227PBF TO-220 en ligne de circuit intégré

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce IRFB4227PBF est fabriqué par INFINEON et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur des spécifications détaillées d'IRFB4227PBF, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité IRFB4227PBF à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

 

Statut de produit
Actif
Type de traducteur
-
Type de la Manche
-
Nombre de circuits
-
Canaux par circuit
-
Vidangez la tension de source (Vdss)
200V
Entraînement de la tension
10V
Signal d'entrée
-
Le signal de sortie
-
Type d'installation
Bâti extérieur
Débit
-
Température de fonctionnement
-40°C | 175°C (TJ)
Caractéristiques
-
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
TO-220-3
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-220AB
Nombre bas de produit
IRFB4227

 

 

Dispositifs de semi-conducteur discrets d'IRFB4227PBF TO-220, transistor MOSFET 200V 65A de la Manche de N

 

Dispositifs de semi-conducteur discrets d'IRFB4227PBF TO-220, transistor MOSFET 200V 65A de la Manche de N

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