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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

L'ÉLECTRONIQUE CIE. DE STJK (HK), A LIMITÉ Qualité d'abord, réputation d'abord, service d'abord, clients d'abord.

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FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand

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China FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand wholesale
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FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand
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Number modèle :FDB2614
Quantité d'ordre minimum :>=1pcs
Capacité d'approvisionnement :30000 acres/acres par Day+pcs+2-3days
Délai de livraison :2-3Days
Détails de empaquetage :Bande en rouleau (TR) Bande de cisaillement (CT)
Point d'origine :La Chine
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
De puissance de sortie :Norme
Protocole :Norme
Tension d'opération :4V
Température de fonctionnement :-55 ℃--℃ 150
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FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce FDB2614 est fabriqué par FAIRCHILD et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées FDB2614, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité FDB2614 à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
62A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
99 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
7230 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
260W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
² PAK (TO-263) DE D
Paquet/cas
TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB
Nombre bas de produit
FDB261

 

FDB2614 TO-263 nouvelle et originale de circuit intégré puce de MOS Field Effect Transistor Brand

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Mots clés du produit:

2sc5200 transistor detail

2sc5200 equivalent transistor

bd249c transistor
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