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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ville:hong kong

Pays / Région:china

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China Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur wholesale

Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur

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Number modèle :2N7002K-7

Quantité d'ordre minimum :>=1pcs

Capacité d'approvisionnement :100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days

Délai de livraison :2-3Days

Détails de empaquetage :L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo

Point d'origine :La Chine

Conditions de paiement :D/A, L/C, Western Union, D/P, MoneyGram, T/T

De puissance de sortie :Norme

Protocole :Norme

Tension d'opération :5V

Température de fonctionnement :-55°C ~ 150°C (TJ)

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Puce toute neuve et originale simple de FET, de transistor MOSFET de semi-conducteur discret de 2N7002K-7 SOT23 de circuit intégré

DESCRIPTION DE PRODUIT

Le numéro de la pièce 2N7002K-7 est fabriqué par des DIODES et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées 2N7002K-7, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité 2N7002K-7 à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit	Actif
Type de FET	N-canal
Technologie	Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)	60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C	380mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs	2Ohm @ 500mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs	0,3 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds	50 PF @ 25 V
Caractéristique de FET	-
Dissipation de puissance (maximum)	370mW (ventres)
Température de fonctionnement	-55°C \| 150°C (TJ)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur	SOT-23-3
Paquet/cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombre bas de produit	2N7002

Mots clés du produit: