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DESCRIPTION DE PRODUIT
Ce transistor MOSFET a été conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (dessus)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le faisant
idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
PROPRIÉTÉS DE PRODUIT
Statut de produit
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Actif
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Type de FET
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N-canal
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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100 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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700mA (ventres)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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700mOhm @ 1.5A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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2,9 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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138 PF @ 50 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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625mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-23-3
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Paquet/cas
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Nombre bas de produit
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ZXMN10
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