Catégories de produits

Dispositifs de semi-conducteur discrets

[23]

Moniteur de tension artérielle de bras

[1]

Condensateurs de composants électroniques

[29]

Résistances de composants électroniques

[9]

Composants passifs électroniques

[10]

Puce d'IC d'alimentation d'énergie

[59]

Relais de composants électroniques

[11]

Émetteur-récepteur IC de RFID

[9]

Contacter

STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ville:hong kong

Pays / Région:china

Contact:MrTom Guo

Coordonnées du contact

Contacter

China Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM wholesale

Mémoire non-volatile IC 1Mbit 45 parallèles NS 48-FBGA de SRAM

Demander le dernier prix

Number modèle :CY14V101NA-BA45XI

Point d'origine :Chine,Guangdong

Quantité d'ordre minimum :>=5pcs

Conditions de paiement :Engagement, L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :99000 acres/acres par Day+pcs+2-7days

Délai de livraison :jours 2-4work

Détails de empaquetage :L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo

Description :PARALLÈLE 48FBGA D'IC NVSRAM 1MBIT

Paquet/cas :48-TFBGA

Montage du type :Bâti extérieur

Température de fonctionnement :-40°C | 85°C (VENTRES)

Tension - approvisionnement :2.7V | 3.6V

Capacité de la mémoire :1Mbit

Statut de produit :Actif

Nombre bas de produit :CY14V101

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

L'énergie de TPS82130SILR alimentation le bâti PoL Module non isolé de conseil que le convertisseur 1 de C.C de C.C a produit 0,9 | 5V 3A

DESCRIPTION DE PRODUIT

Cypress CY14V101LA/CY14V101NA est une MÉMOIRE RAM rapidement statique, avec un élément non-volatile en chaque cellule de mémoire. La mémoire est organisée en tant que 128 octets de 8 bits chacun de K ou 64 mots de 16 bits chacun de K. Les éléments non-volatiles inclus incorporent la technologie de QuantumTrap, produisant la mémoire non-volatile la plus fiable du monde. SRAM fournit la lecture infinie et écrit des cycles, alors que les données non-volatiles indépendantes résident dans la cellule fortement fiable de QuantumTrap. Les transferts des données de SRAM aux éléments non-volatiles (l'opération de MAGASIN) a lieu automatiquement à la puissance vers le bas. Sur la mise sous tension, des données sont reconstituées à SRAM (l'opération de RAPPEL) de la mémoire non-volatile. Les opérations de MAGASIN et de RAPPEL sont également disponibles sous le contrôle de logiciel.

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

Statut de produit	Actif
Type de mémoire	Non-volatile
Format de mémoire	NVSRAM
Technologie	NVSRAM (SRAM non-volatile)
Capacité de la mémoire	1Mbit
Organisation de mémoire	64K X 16
Interface de mémoire	Parallèle
Écrivez la durée de cycle - Word, page	45ns
Temps d'accès	45 NS
Tension - approvisionnement	2.7V \| 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C \| 85°C (VENTRES)
Montage du type	Bâti extérieur
Paquet/cas	48-TFBGA
Paquet de dispositif de fournisseur	48-FBGA (6x10)
Nombre bas de produit	CY14V101

Mots clés du produit: