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LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirectionnel, VF=1.25V

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Transistor de transistor MOSFET

Dispositif de protection contre les surtensions à thyristors

Bas régulateur d'abandon scolaire

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MrYangJiaHe

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China LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirectionnel, VF=1.25V wholesale

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Numéro de modèle :LESDA6V1LT1G

Lieu d'origine :Chine

Quantité minimum de commande :10

Conditions de paiement :T/T

Délai de livraison :5-8 jours ouvrables

Détails de l'emballage :SC-88

Les espèces d'oiseaux :Sens Unique

Tension de coupure inverse :5.25V

Voltage de serrage :300 V

Tension de panne :6.1V

Taper :ESDE

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Catalogue Protection électrostatique et contre les surtensions (TVS/ESD)

Polarité unidirectionnelle

Tension de blocage inverse (Vrwm) 5.25V V.

Tension de serrage 300 V

Valeur du paramètre d'attribut

La tension de claquage est de 6.1V

Courant inverse (Ir) 20uA

Type ESD

LESDA6V1LT1G.PDF

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