Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : CMS/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 30 V
Id - Courant de drain continu : 300 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 2,4 Ohms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2,4 V
Qg - Charge de grille : 1,2 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 540 mW
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Configuration : Simple
Temps de descente : 21,9 ns
Transconductance directe - minimum : 6 S
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 11,5 ns
Série : DMP32
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Temps de retard de fermeture typique : 31,8 ns
Temps de retard d'activation typique : 9,86 ns
Poids unitaire : 8 mg