Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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NTJS4151PT1G MOSFET de puissance canal P 20V 4,2A Niveau logique MOSFET canal P

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Pays / Région:china
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NTJS4151PT1G MOSFET de puissance canal P 20V 4,2A Niveau logique MOSFET canal P

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Numéro de modèle :NTJS4151PT1G
Lieu d'origine :États-Unis
Quantité minimum de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Délai de livraison :5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :CMS/CMS DO-214AA-2
Produit :Transistor MOSFET
Style d'installation :SMD / SMT
Package / boîte :SC-88-6
Série :NTJS4151P
Encapsulation :Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit :Mosfets
Poids unitaire :6.200mg
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Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style de montage : SMD/SMT
Boîtier / Conditionnement : SC-88-6
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 3,3 A
Rds On - Résistance drain-source : 205 mOhms
Vgs - Tension grille-source : - 12 V, + 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1,2 V
Qg - Charge de grille : 10 nC
Température de fonctionnement minimale : - 55 C
Température de fonctionnement maximale : + 150 C
Pd - Dissipation de puissance : 1 W
Mode de canal : Amélioration
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de ruban
Conditionnement : MouseReel
Marque : onsemi
Configuration : Simple
Temps de descente : 4,2 ns
Transconductance directe - Min : 12 S
Hauteur : 0,9 mm
Longueur : 2 mm
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 1,7 ns
Série : NTJS4151P
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Temps de retard de désactivation typique : 2,7 ns
Temps de retard d'activation typique : 0,85 ns
Largeur : 1,25 mm
Poids unitaire : 6,200 mg.
NTJS4151PT1G.PDF
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