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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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SI3454CDV-T1-GE3 Transistor MOSFET Canal P MOSFET Haute Performance

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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China SI3454CDV-T1-GE3 Transistor MOSFET Canal P MOSFET Haute Performance wholesale
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SI3454CDV-T1-GE3 Transistor MOSFET Canal P MOSFET Haute Performance
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Numéro de modèle :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Lieu d'origine :États-Unis
Quantité minimum de commande :1
Conditions de paiement :T/T
Délai de livraison :5-8 jours ouvrables
Détails de l'emballage :SMD / SMT
Produit :Transistor MOSFET
Style d'installation :SMD / SMT
Package / boîte :TSOP-6
Encapsulation :Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit :Mosfets
Poids unitaire :20mg
Série :SI3
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Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : TSOP-6
Nom commercial : TrenchFET
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de ruban
Marque commerciale : Vishay/Siliconix
Hauteur : 1,1 mm
Longueur : 3,05 mm
Type de produit : MOSFET
Série : SI3
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,65 mm
Alias de référence : SI3454CDV-GE3
Poids unitaire : 20 mg

SI3454CDV-T1-GE3.pdf

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