Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-363-6
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Double
Courant de collecteur continu maximum : 600 mA
Tension collecteur-émetteur maximum VCEO : 40 V
Tension collecteur-base VCBO : 75 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1 V
Pd - dissipation de puissance : 200 mW
Produit gain-bande passante ft : 300 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : MMDT22
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Courant continu du collecteur : 600 mA
Gain en courant continu maximum hFE : 300
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,2 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,35 mm
Poids unitaire : 6 mg