Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant collecteur continu maximum : 100 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 30 V
Tension collecteur-base VCBO : 30 V
Tension émetteur-base VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV
Pd - dissipation de puissance : 330 mW
Produit gain-bande passante ft : 250 MHz
Température de fonctionnement minimale : -65 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : BC848
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Infineon Technologies
Courant continu du collecteur : 100 mA
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 200
Gain en courant continu maximum hFE : 450
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,3 mm
Alias de numéro de pièce : sp000010561bc848be6327xtbc848be6327htsa1
Poids unitaire : 8 mg