Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-323-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 100 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 30 V
Tension collecteur-base VCBO : 30 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV
Pd - dissipation de puissance : 200 mW
Produit gain-bande passante ft : 300 MHz
Température de fonctionnement minimale : -65 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : BC848B
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Gain courant continu collecteur/base hFE min : 200
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,2 mm
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,35 mm
Poids unitaire : 5 mg