Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Transistor bipolaire - double fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire - transistor à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : PowerDI3333-8
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximum : 3 A
Tension collecteur-émetteur maximum VCEO : 25 V
Tension collecteur-base VCBO : 35 V
Tension émetteur-base VEBO : 7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 164 mV
Pd - dissipation de puissance : 3,1 W
Produit gain-bande passante fT : 160 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +175 °C
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de ruban
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Courant continu du collecteur : -3 A
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 100
Gain en courant continu maximum hFE : 300
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Poids unitaire : 30 mg BJT