Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 2 A
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 20 V
Tension collecteur-base VCBO : 20 V
Tension base-émetteur VEBO : 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 100 mV
Pd - dissipation de puissance : 600 mW
Produit gain-bande passante ft : 150 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Série : DSS202
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe de bande
Encapsulation : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Gain courant continu collecteur/base hfemin : 200 à 2 A, 2 V
Gain en courant continu maximal hFE : 200 à 10 mA, 2 V
Hauteur : 1 mm
Longueur : 2,9 mm
Type de produit : BJT - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Largeur : 1,3 mm
Poids unitaire : 8 mg