Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
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Fabricant : Diodes Incorporated
Catégorie de produit : transistor bipolaire à jonction bipolaire (BJT)
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : NPN
Configuration : Simple
Courant de collecteur continu maximal : 225 mA
Tension collecteur-émetteur maximale VCEO : 400 V
Tension collecteur-base VCBO : 400 V
Tension émetteur-base VEBO : 7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - dissipation de puissance : 500 mW
Produit gain-bande passante ft : 50 MHz
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Qualification : AEC-Q101
Série : FMMT458
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe de bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Diodes Incorporated
Courant continu du collecteur : 225 mA
Gain courant continu collecteur/base hFEmin : 15
Gain en courant continu maximal hFE : 300
Type de produit : BJTs - Transistors bipolaires
Sous-catégorie : Transistors
Poids unitaire : 8 mg