Transistor MOSFET FQPF6N60C puissant pour l'électronique haute performance

Composant robuste et fiable pour des applications électriques supérieures

Vous recherchez un transistor MOSFET robuste et performant pour vos appareils électroniques ?Ne cherchez pas plus loin que le FQPF6N60C.Ce transistor est conçu pour offrir des performances électriques exceptionnelles, ce qui en fait un choix de premier ordre pour une large gamme d'applications.Avec un courant de drain maximal de 6 A et une tension maximale de 600 V, le FQPF6N60C peut gérer facilement les applications les plus exigeantes.Sa faible résistance à l'état passant et ses performances de commutation supérieures garantissent que votre appareil fonctionne de manière efficace et fiable.

Conçu pour résister à des températures élevées et à des conditions extrêmes, ce transistor est construit avec des matériaux robustes et une technologie de pointe.Sa faible résistance thermique assure une dissipation thermique efficace et des performances durables, ce qui en fait un choix fiable pour l'électronique haute performance.Que vous travailliez sur une nouvelle conception électronique ou que vous répariez un appareil existant, le FQPF6N60C est un composant puissant et fiable qui élèvera vos performances électriques vers de nouveaux sommets.Commandez le vôtre dès aujourd'hui et profitez de performances et d'une fiabilité supérieures dans vos projets électroniques.

Caractéristiques techniques:

• Technologie : Si
• Style de montage : trou traversant
• Colis/boîte : TO-220-3
• Polarité du transistor : canal N
• Nombre de canaux : 1 canal
• Vds - Tension de claquage drain-source : 600 V
• Id - Courant de drain continu : 5,5 A
• Rds On - Résistance drain-source : 2 Ohms
• Vgs - Tension grille-source : - 30 V, + 30 V
• Température minimale de fonctionnement : - 55 C
• Température de fonctionnement maximale : + 150 C
• Pd - Puissance dissipée : 40 W
• Mode Canal : Amélioration
• Série : FQPF6N60C
• Conditionnement : tube
• Marque : onsemi/Fairchild
• Configuration : Simple
• Temps de chute : 45 ns
• Transconductance directe - Min : 4,8 S
• Hauteur : 16,3 mm
• Longueur : 10,67 mm
• Type de produit : MOSFET
• Temps de montée : 45 ns