L'électronique de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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la Manche du transistor TO-220-3 IRF540NPBF N de puissance élevée de 100V 33A

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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la Manche du transistor TO-220-3 IRF540NPBF N de puissance élevée de 100V 33A

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Number modèle :IRF540NPBF
Numéro de la pièce. :IRF540NPBF
Type :Transistor MOSFET
Polarité de transistor :N-canal
Paquet/cas :TO-220-3
MARQUE :Infineon Technologies
Condition :Nouveau
Le stock :En stock
Quantité minimale de commande :1
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Transistor de puissance performant

Description d'IRF540NPBF : Conception supérieure pour l'électronique avancée

 

Si vous recherchez un transistor de puissance avancé pour vos projets de l'électronique, ne regardez pas autre que l'IRF540NPBF. Ce transistor performant est conçu pour fournir des résultats exceptionnels, avec une conception supérieure qui assure l'efficacité et la fiabilité optimales. Comportant une capacité à haute tension de jusqu'à 100V, l'IRF540NPBF peut fonctionner dans un large éventail d'applications. Il revendique également une capacité à forte intensité de jusqu'à 33A, le rendant idéal pour l'usage dans des circuits exigeants qui exigent des capacités de changement puissantes.

 

Mais ce qui place vraiment l'IRF540NPBF est à part sa conception avancée. Avec une basse résistance de sur-état et des vitesses de changement rapides, ce transistor fournit la représentation particulièrement efficace et fiable. Il comporte également une construction rocailleuse qui le rend résistant pour endommager des facteurs environnementaux comme la température et la vibration.

 

Ainsi si vous recherchez un transistor de puissance performant qui peut fournir des résultats supérieurs dans même les applications les plus exigeantes, choisissez l'IRF540NPBF. Avec sa conception exceptionnelle et représentation fiable, c'est le choix parfait pour des projets avancés de l'électronique.

 

 

Caractéristiques techniques :

  • Technologie : SI
  • Montage du style : Par le trou
  • Paquet/cas : TO-220-3
  • Polarité de transistor : N-canal
  • Nombre de canaux : La 1 Manche
  • Vds - tension claque de Drain-source : 100 V
  • Identification - courant continu de drain : 33 A
  • Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 44 mOhms
  • Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
  • Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 2 V
  • Qg - charge de porte : 47,3 OR
  • Température de fonctionnement minimum : - 55 C
  • Température de fonctionnement maximum : + 175 C
  • Palladium - dissipation de puissance : 140 W
  • Mode de la Manche : Amélioration
  • Emballage : Tube
  • Marque : Infineon Technologies
  • Configuration : Simple
  • Taille : 15,65 millimètres
  • Longueur : 10 millimètres
  • Type de produit : Transistor MOSFET
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