Transistor MOSFET SPA20N60C3 puissant pour l'électronique performante

Le pour - et - le contre du transistor MOSFET SPA20N60C3

En tant que chef dans le domaine de l'électronique, nous recommandons fortement le transistor MOSFET SPA20N60C3 pour sa représentation et efficacité exceptionnelles dans un large éventail d'applications. Avec une estimation de tension de 600V et une estimation actuelle de 20A, ce transistor MOSFET est parfait pour l'électronique performante que gestion ligne du dessus de puissance de demande. Un du pour principal du transistor MOSFET SPA20N60C3 est sa basse résistance de sur-état, que les moyens il peuvent manipuler des pertes de puissance faible à forte intensité et, ayant pour résultat le rendement élevé et la génération de chaleur réduite. Ceci lui fait un grand choix pour des alimentations d'énergie, les inverseurs solaires, les contrôles de moteur, et d'autres applications qui exigent la commutation à haute fréquence.

Un autre avantage du transistor MOSFET SPA20N60C3 est le son sérieux et longévité. Il a construit avec la technologie de pointe qui assure une plus longue durée de vie et un entretien minimal. C'est une mesure économique significative pour des entreprises et des personnes qui se fondent sur l'électronique performante. Cependant, comme n'importe quel transistor MOSFET, il y a un certain contre à employer le SPA20N60C3. Une escroquerie est qu'il n'est pas approprié aux applications de basse tension dues à son estimation à haute tension. En plus, ce peut ne pas être l'option la plus rentable pour quelques projets, car c'est un transistor MOSFET plus à extrémité élevé avec un point de prix plus élevé. De façon générale, nous recommandons fortement le transistor MOSFET SPA20N60C3 pour sa représentation exceptionnelle dans un large éventail d'applications. Son rendement élevé, sérieux, et longévité lui font un grand choix pour l'électronique exigeante.

Caractéristiques techniques :

• Technologie : SI
• Montage du style : Par le trou
• Paquet/cas : TO-220FP-3
• Polarité de transistor : N-canal
• Nombre de canaux : La 1 Manche
• Vds - tension claque de Drain-source : 600 V
• Identification - courant continu de drain : A 20,7
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 190 mOhms
• Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 2,1 V
• Qg - charge de porte : 87 OR
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 150 C
• Palladium - dissipation de puissance : 34,5 W
• Mode de la Manche : Amélioration
• Nom commercial : CoolMOS
• Série : CoolMOS C3
• Emballage : Tube
• Marque : Infineon Technologies
• Configuration : Simple
• Temps de chute : 4,5 NS
• Taille : 16,15 millimètres
• Longueur : 10,65 millimètres
• Type de produit : Transistor MOSFET
• Temps de montée : 5 NS