L'électronique de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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puce de rechange du N-CANAL 60V 115mA de transistor MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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puce de rechange du N-CANAL 60V 115mA de transistor MOSFET de 2N7002 2N7002-7-F

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Number modèle :2N7002
Point d'origine :Guangdong, Chine
Détails de empaquetage :Carton standard
Quantité minimale de commande :1
Type de paquet :Bâti extérieur
MARQUE :Transistor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type :Bâti extérieur
Paquet/cas :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de FET :N-canal
Vidangez à la tension de source (Vdss) :60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :115mA (ventres)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :7.5Ohm @ 500mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :2.5V @ 250uA
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :50pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :5V, 10V
Vgs (maximum) :±20V
Le stock :En stock
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Améliorez votre Hashboard avec le transistor MOSFET 2N7002

Transistor MOSFET de SMD de rendement optimum pour la représentation améliorée de Hashboard

 

Améliorez la représentation de votre Hashboard avec le transistor MOSFET 2N7002, particulièrement conçue pour augmenter la fonctionnalité des applications 3.3V. Avec une basse porte à la tension de seuil de source de 2.1V, ce transistor MOSFET est parfait pour des applications de gestion de puissance, te permettant de continuer à commuter le bas d'utilisation de haute et d'énergie de représentation. Sa basse résistance de sur-état s'assure qu'elle demeure de rendement optimum tandis qu'elle est allumée.

 

Le plus, sa version de SMD est incroyablement commode pour de petites applications, avec le potentiel de supporter le courant 200mA continu et les crêtes 1A avec le seuil maximum de tension. Tellement pourquoi attente ? Améliorez votre Hashboard aujourd'hui et élevez votre expérience de extraction avec le transistor MOSFET 2N7002 !

 

 

Catégorie de produit

Transistor MOSFET

Technologie

SI

Montage du style

SMD/SMT

Paquet/cas

SOT-23-3

Polarité de transistor

N-canal

Nombre de canaux

La 1 Manche

Vds - tension claque de Drain-source

60 V

Identification - courant continu de drain

115 mA

Le RDS sur - la résistance de Drain-source

1,2 ohms

Vgs - tension de Porte-source

- 20 V, + 20 V

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source

1 V

Qg - charge de porte

-

Température de fonctionnement minimum

- 55 C

Température de fonctionnement maximum

+ 150 C

Palladium - dissipation de puissance

200 mW

Mode de la Manche

Amélioration

Configuration

Simple

Taille

1,2 millimètres

Longueur

2,9 millimètres

Produit

Petit signal de transistor MOSFET

Série

2N7002

Type de transistor

1 N-canal

Largeur

1,3 millimètres

Transconductance en avant - minute

0,08 S

Type de produit

Transistor MOSFET

Partie # noms d'emprunt

2N7002_NL

Poids spécifique

0,000282 onces

 

 

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