MOSFET à canal P haute performance STB80PF55T4 pour les applications électriques
Le STMicroelectronics STB80PF55T4 est un MOSFET P-Channel haute performance conçu pour les applications électriques nécessitant une commutation efficace et des capacités de traitement de courant élevé.d'une tension de rupture de 55 V et d'un courant de vidange continu de 80 A, ce MOSFET offre des performances robustes dans des environnements exigeants.minimiser les pertes de puissance et améliorer l'efficacité globale du systèmeLa configuration à canal unique le rend adapté à diverses applications de commutation de puissance.
55V, 80A, basse tension - Idéal pour les systèmes à haute puissance
Avec une plage de tension porte-source de -16V à +16V, ce MOSFET offre une flexibilité dans la conduite de l'appareil et permet une intégration facile dans les conceptions de circuits existants.L'opération en mode amélioration assure un comportement de commutation fiable et contrôléCe MOSFET est basé sur la technologie du silicium (Si), connue pour ses excellentes performances et sa fiabilité.offrant une installation pratique et des avantages en matière d'économie d'espaceFonctionnant sur une large plage de températures, de -55°C à +175°C, le STB80PF55T4 est adapté aux environnements difficiles et peut résister à des conditions de fonctionnement exigeantes.
Le MOSFET STB80PF55T4 est conçu pour gérer une dissipation de puissance élevée, avec une dissipation de puissance de 300 W. Cela lui permet de gérer des charges de puissance importantes sans compromettre les performances.Avec un temps de montée de 190 ns et un temps de chute de 80 ns, ce MOSFET assure des caractéristiques de commutation rapides et efficaces, contribuant à améliorer les performances du système.le STB80PF55T4 offre un facteur de forme compactSi vous travaillez sur des sources d'alimentation, le contrôle du moteur, ou d'autres applications de haute puissance,le MOSFET STMicroelectronics STB80PF55T4 P-Channel fournit une gestion de puissance élevée, faible résistance et commutation efficace pour vos besoins de conception.
Caractéristiques techniques
| Caractéristique |
Spécification |
| Produit de fabrication |
STMicroélectronique |
| Catégorie de produits |
MOSFET |
| Technologie |
Je sais. |
| Mode de montage |
DSM/SMT |
| Emballage / boîtier |
TO-263-3 |
| Polarité du transistor |
P-canal |
| Nombre de chaînes |
1ère chaîne |
| Vds - Voltage de rupture de la source de vidange |
55 V |
| Id - Courant de drainage continu |
80 A |
| Rds On - Résistance de la source de drainage |
16 mOhms |
| Vgs - Tension de la porte de sortie |
-16 V, +16 V |
| Température de fonctionnement minimale |
-55°C |
| Température de fonctionnement maximale |
+175°C |
| Pd - Dissipation de l'énergie |
300 W |
| Mode de chaîne |
Amélioration |
| Série |
Le numéro de série est le numéro de série. |
| Emballage |
Enroule, enroule, enroule |
| Configuration |
Unique |
| Temps d'automne |
80 ns |
| Transconductivité avant - min |
32 S |
| Taille |
4.6 mm |
| Longueur |
10.4 mm |
| Il est temps de se lever. |
190 ns |
