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L'électronique de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans une puce de remplacement de l'unité d'alimentation TO-220AB

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Puce électronique d'IC

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Module d'affichage d'affichage à cristaux liquides

 [12]

Ventilateur de C.C à C.A.

 [21]

Module de transistor d'IGBT

 [14]

Prises électriques circulaires

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 [20]

Capteur de circuit intégré

 [6]

Corde d'alimentation CC à C.A.

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Pays / Région:china
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China IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans une puce de remplacement de l'unité d'alimentation TO-220AB wholesale
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IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans une puce de remplacement de l'unité d'alimentation TO-220AB
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Number modèle :IRF1407
Point d'origine :Guangdong, Chine
Détails de empaquetage :Carton standard
Quantité d'ordre minimum :10 morceaux
Type :Transistor MOSFET
Type de paquet :Dans tout le trou
Application :Alimentation d'énergie
Température de fonctionnement :-45 à +125
Paquet/cas :TO-220AB
Type de FET :Canal de N
Vidangez à la tension de source (Vdss) :75V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :130,0 A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :7,8 mOhms
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3,0 V 2,0 V 4,0 V
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :160,0 OR
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IRF1407 75V HEXFET de puissance à N-canal unique dans un ensemble TO-220AB

 

Caractéristiques:

  • Structure de cellule plane pour une SOA large
  • Optimisé pour une plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
  • Qualification du produit selon la norme JEDEC
  • Silicium optimisé pour les applications à commutation inférieure à 100 kHz
  • Paquet d'alimentation par trou standard de l'industrie
  • Paquet de capacité de charge de courant élevé (jusqu'à 195 A, en fonction de la taille de la matrice)
  • d'une épaisseur n'excédant pas 10 mm

 

Paramètres

IRF 1407

ID (@25°C) maximum

130.0 A

Montage

THT

Ptot max

330.0 W

Le paquet

TO-220

Polarité

N

QG (type @10V)

160.0 nC

Qgd

54.0 nC

RDS (allumé) (@10V) max

70,8 mOhms

RthJC max

0.45 K/W

Tj max

1750,0 °C

VDS max

75.0 V

VGS ((th) min max

3.0 V 2,0 V 4,0 V

VGS max

20.0 V

 

 

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