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L'électronique de Yougou (Shenzhen) Co., Ltd.

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Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MrTony Zhang

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MSP10065V1 Remplacement de diode au carbure de silicium pour unité d'alimentation

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Point d'origine :Guangdong, Chine

Détails de empaquetage :Carton standard

Quantité d'ordre minimum :50 morceaux

Fabricant Part Number :MSP10065V1

Type :Diode

Température de fonctionnement :-40 à +85 C

Montage du type :Par le trou

Tension - sortie :650V

Actuel - sortie/Manche :10A

Condition :Nouveau

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Présentation de la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1,5V

Technologie avancée pour des performances plus efficaces et fiables

La diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V, utilisant la technologie TO-220 package, est la solution idéale pour ceux qui veulent un composant efficace et robuste pour leur PFC / onduleur de puissance / convertisseur,alimentation en électricitéAvec ses capacités de commutation à grande vitesse, il offre une réduction significative des pertes de commutation,contribuant à une efficacité globale accrue par rapport aux alternatives aux diodes de silicium.

Le comportement unique de commutation indépendant de la température et les temps de récupération plus rapides garantissent de meilleures performances,tandis que le coefficient de température positif sur VF assure une marge de sécurité plus élevée contre la surtensionEn outre, la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V peut fonctionner à des fréquences plus élevées et avec des temps de récupération plus courts,réduction des exigences en matière de dissipateurs de chaleur et prévention de la fuite thermique pour les dispositifs parallèlesFaites confiance à la diode SiC MSP10065V1 10A 650V 1.5V pour une performance fiable et efficace.

Numéro de pièce	Le nombre de points de contrôle est le suivant:
Catégorie	Réducteur de diode Schottky
Le paquet	TO-220
Température de cristallisation	175°C
Actuel	10A
Voltage	Pour les appareils électroniques

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