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résistivité libre de type SI non dopée de substrat de monocristal de GaN du l'Un-visage 5*10mm2 > 106 Ω·gaufrette de dispositifs RF de cm
Aperçu
Les gaufrettes minces d'Epi sont utilisées généralement pour des dispositifs de MOS de bord d'attaque. Epi épais ou gaufrettes épitaxiales multicouche sont employés pour les dispositifs principalement pour commander le courant électrique, et ils contribuent à améliorer l'efficacité de la consommation d'énergie.
Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée depuis de nombreuses années. Les caractéristiques sont uniformité cristalline et bonne élevée, et qualité extérieure supérieure.
Ces gaufrettes de GaN réalisent les diodes lasers ultra-lumineuses sans précédent et les dispositifs de puissance à haute efficacité pour l'usage dans des sources lumineuses de projecteur, des inverseurs pour des véhicules électriques, et d'autres applications.
| Substrats libres d'un GaN de visage | ||||
| Article | GAN-FS-UN-U-s |
GAN-FS-UN-n-s |
GAN-FS-UN-SI-s |
Un angle circulaire d'arc (R < 2="" mm=""> |
| Dimensions | 5 x 10 millimètres2 | |||
| Épaisseur | µm 350 ±25 | |||
| Orientation |
Un avion (11-20) outre d'angle vers le M-axe 0 ±0.5° Un avion (11-20) outre d'angle vers le C-axe - 1 ±0.2° |
|||
| Type de conduction | de type n |
de type n |
Semi-isolant | |
| Résistivité (300K) | < 0=""> | < 0=""> | > 106 Ω·cm | |
| TTV | µm du ≤ 10 | |||
| ARC | - 10 µm du ≤ 10 d'ARC de ≤ de µm | |||
| Front Surface Roughness |
< 0=""> ou < 0=""> |
|||
| Aspérité arrière |
0,5 μm ~1,5 option : 1~3 nanomètre (la terre fine) ; < 0=""> |
|||
| Densité de dislocation | De 1 x 105 à 3 x 106 cm2 | |||
| Macro densité de défaut | 0 cm2 | |||
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de bord) | |||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur de 6 PCS, sous une atmosphère d'azote | |||
Annexe : Le diagramme de l'angle de miscut
Si ±0.5°du δ1 = 0, alors un avion (11-20) outre d'angle vers le M-axe est 0 ±0.5°.
Si δ2 = - 1 ±0.2°, alors un avion (11-20) outre d'angle vers le C-axe est - 1 ±0.2°.
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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