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Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

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Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

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Number modèle :JDCD01-001-005
Point d'origine :Suzhou Chine
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :10000pcs/Month
Délai de livraison :3-4 jours de la semaine
Détails de empaquetage :Emballage sous vide dans un environnement de salle blanche de classe 10000, dans des cassettes de 6
Nom de produit :Substrat de monocristal de GaN
Dimensions :² de 5 x de 10mm
Épaisseur :350 ±25µm
Orientation :Un avion (11-20) outre d'angle vers l'avion du M-axe 0 ±0.5° A (11-20) outre de l'angle vers le C-ax
TTV :≤ 10µm
Arc :- ≤ 10µm d'ARC de ≤ de 10µm
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5*10.5mm2 A-face Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n Résistivité < 0.05 Ω·cm Dispositif d'alimentation/plaquette laser


Aperçu

La densité de puissance est grandement améliorée dans les dispositifs au nitrure de gallium par rapport à ceux au silicium car le GaN a la capacité de supporter des fréquences de commutation beaucoup plus élevées.Il a également une capacité accrue à supporter des températures élevées.

UN Fas Free-Stunndjeng gunN SousStrates
Article GaN-FS-AUS GaN-FS-ANS GaN-FS-A-SI-S

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

Remarques:

Un angle d'arc de cercle (R < 2 mm) est utilisé pour distinguer la surface avant et arrière.

Dimensions 5 x 10 mm2
Épaisseur 350 ±25 µm
Orientation

Un plan (11-20) hors angle vers l'axe M 0 ±0,5°

Un plan (11-20) hors angle vers l'axe C - 1 ±0,2°

Type de conduction Type N Type N Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0,1 Ω·cm < 0,05 Ω·cm > 106Ω·cm
TTV ≤ 10 µm
ARC - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm
Rugosité de la surface avant

< 0,2 nm (poli);

ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)

Rugosité de la surface arrière

0,5 ~ 1,5 μm

option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)

Densité de luxation A partir de 1 x 105à 3 x 106cm-2
Densité des macro-défauts 0cm-2
Surface utilisable > 90% (exclusion des bords)
Emballer Conditionné en salle blanche classe 100, en bidon 6 PCS, sous atmosphère d'azote

Annexe : Le diagramme de l'angle de coupe incorrect

Substrat monocristallin de GaN gallium debout libre de type Face N non dopé

Si δ1= 0 ±0,5°, alors le plan A (11-20) hors angle vers l'axe M est de 0 ±0,5°.

Si δ2= - 1 ± 0,2°, alors le plan A (11-20) hors angle vers l'axe C est de - 1 ± 0,2°.

À propos de nous

Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.

FAQ

Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
Q : Combien de temps dure votre délai de livraison ?
Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
ou c'est 7-10 jours si les marchandises ne sont pas en stock, c'est selon la quantité.
Q : Fournissez-vous des échantillons ?est-ce gratuit ou en supplément ?
Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
Paiement <=5000USD, 100% à l'avance.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T à l'avance, solde avant expédition.

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