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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / GaN Epitaxial Wafer / Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um /

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GaN Epitaxial Wafer

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Puce de diode laser

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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gaufrette de silicium

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
  • Substrats U-GaN SI-GaN autoportants pour tranches épitaxiales GaN 375 um
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350 ± 25 μm (11-20) ± 3o, 8 ± 1 mm 2 pouces Substrats U-GaN/SI-GaN autonomes Face C 2 pouces Substrat monocristallin de GaN non dopé de type n R...
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Qu'est-ce qu'une plaquette à semi-conducteurs? semi-conducteur de gaufrette Une galette

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