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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / GaN Epitaxial Wafer / Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm /

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GaN Epitaxial Wafer

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Puce de diode laser

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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gaufrette de silicium

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
  • Le Fe a enduit GaN Substrates Resistivity > 10 le ⁶ Ω·Dispositifs RF de cm
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le C-visage 2inch Fe-a enduit la résistivité libre de type SI de substrat de monocristal de GaN > 106 Ω·dispositifs RF de cm La tension claque réalis...
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Mots clés du produit:
semi-conducteur de rf substrat de GaAs générateur de gaz

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