Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Substrat 6 pouces 4H-SiC Type N P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm pour les appareils électriques et micro-ondes
Aperçu
Le SiC est utilisé pour la fabrication de dispositifs à très haute tension et à haute puissance tels que des diodes, des transistors de puissance et des dispositifs à micro-ondes à haute puissance.
La croissance épitaxiale est utilisée pour produire des couches actives de structures de dispositifs à base de carbure de silicium (SiC) avec une densité et une épaisseur de dopage conçues, car le contrôle du dopage et de l'épaisseur dans la croissance en masse est difficile.
Les propriétés électroniques et thermiques uniques du carbure de silicium (SiC) le rendent idéal pour les dispositifs semi-conducteurs avancés à haute puissance et haute fréquence qui fonctionnent bien au-delà des capacités des dispositifs au silicium ou à l'arséniure de gallium.
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Forme de cristal | 4H | ||
| Polytype | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| (MPD)un | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| Plaques hexagonales | Aucun permis | Zone≤5 % | |
| Polycristal hexagonal | Aucun permis | ||
| Inclusionsun | Zone≤0,05 % | Zone≤0,05 % | N / A |
| Résistivité | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm | 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm |
| (EPD)un | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N / A |
| (TED)un | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N / A |
| (TPL)un | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N / A |
| (TSD)un | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N / A |
| Défaut d'empilement | ≤0.5% Zone | ≤1% Zone | N / A |
|
Contamination métallique de surface |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
||
| Diamètre | 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm | ||
| Orientation des surfaces | Hors axe : 4 ° vers <11-20> ±0,5 ° | ||
| Longueur plate primaire | 47,5 mm ± 1,5 mm | ||
| Longueur plate secondaire | Pas d'appartement secondaire | ||
| Orientation principale à plat | Parallèle à<11-20>±1° | ||
| Orientation plate secondaire | N / A | ||
| Désorientation orthogonale | ±5,0° | ||
| Finition de surface | Face C : polissage optique, face Si : CMP | ||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||
|
Rugosité de surface (10μm×10μm) |
Si Face Ra≤0.20 nm ； C Face Ra≤0.50 nm | ||
| Épaisseurun | 350.0μm± 25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)un | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TVT)un | ≤6μm | ≤10μm | |
| (ARC)un | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (Chaîne)un | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| Puces/retraits | Aucun autorisé ≥ 0,5 mm de largeur et de profondeur | Qty.2 ≤1.0 mm Largeur et profondeur | |
|
Rayuresun (Visage Si, CS8520) |
≤5 et longueur cumulée≤0,5×diamètre de plaquette |
≤5 et longueur cumulée≤1.5×Wafer Diamètre |
|
| TU(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | N / A |
| Fissures | Aucun permis | ||
| Contamination | Aucun permis | ||
| Propriété | Qualité P-MOS | Nuance P-SBD | Classe D |
| Exclusion de bord | 3mm | ||
Remarque : une exclusion de bord de 3 mm est utilisée pour les éléments marqués d'unun.
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
FAQ
Q : Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant ?
Nous sommes usine.
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