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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / SiC Epitaxial Wafer / 6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um /

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GaN Epitaxial Wafer

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Puce de diode laser

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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gaufrette de silicium

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
6inch N Type Wafer P MOS Grade 4H SiC Substrat 350.0 ± 25.0um
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Substrat 6 pouces 4H-SiC Type N P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2Résistivité 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm pour les appareils électriques et micro-ondes Aper...
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Mots clés du produit:
6063 t5 composition en aluminium Substrate céramique à 96% al2o3 propriétés de l'aluminium section 6063

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