Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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Efficacité de conversion de puissance de puce de diode laser du courant de seuil 0.5A 58%
Puce laser à diode COS 915nm 10W sur la conception du sous-montage
L'intégration sur puce de diodes laser et de photodétecteurs avec des guides d'ondes à nanofils de silicium est démontrée.Grâce à la liaison flip-chip des diodes laser GaInNAs/GaAs directement sur le substrat de silicium, une dissipation thermique efficace a été réalisée et des températures caractéristiques aussi élevées que 132K ont été atteintes.Des convertisseurs de taille de spot pour le couplage laser-guide d'onde ont été utilisés, avec des rendements supérieurs à 60 %.
Les photodétecteurs ont été fabriqués en collant des plaquettes InGaAs/InP directement sur des guides d'ondes en silicium et en formant des structures métal-semi-conducteur-métal, donnant des sensibilités aussi élevées que 0,74 A/W.La diode laser et le photodétecteur ont été intégrés à un seul guide d'ondes en silicium pour démontrer une liaison de transmission optique complète sur puce.
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Optique
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Longueur d'onde centrale
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915nm
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Puissance de sortie
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10W
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Largeur spectrale FWHM
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≤6nm
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Efficacité de la pente
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1.0W/A
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Divergence d'axe rapide
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60 degrés
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Divergence lente de l'axe
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11 degrés
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Mode de polarisation
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ET
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Taille de l'émetteur
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94um
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Électrique
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Courant de seuil
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0.5A
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Courant de fonctionnement
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12A
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Tension de fonctionnement
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1.65V
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Efficacité de conversion de puissance
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58%
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Thermique
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Température de fonctionnement
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15-55℃
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Température de stockage
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-30-70℃
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Temp.Coefficient
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0.3nm/℃
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FAQ
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Nous sommes fabricant avec plus de 11 ans d'expérience et fournissons également la solution technique à tous les clients.
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