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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / Silicon Wafer / Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um /

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Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
  • Substrat primaire de plaquette épitaxiale de silicium microélectronique 279um
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Épaisseur (μm) 279 Plaquette de silicium TTV (μm) Standard <10 um, capacités maximales <5 μm Dispositifs MEMS de plaquette de silicium de 2 pouces, ...
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