Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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10x10mm2 100(off 6°) Substrat monocristallin Ga2O3 autoportant dopé Fe Produit de polissage unique Épaisseur 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Dispositifs optoélectroniques, couches isolantes de matériaux semi-conducteurs et filtres UV
La densité de puissance est grandement améliorée dans les dispositifs au nitrure de gallium par rapport à ceux au silicium car le GaN a la capacité de supporter des fréquences de commutation beaucoup plus élevées.Il a également une capacité accrue à supporter des températures élevées.
le nitrure de gallium est un semi-conducteur à bande interdite directe (bande interdite = 3,4 eV) ayant une structure de type wurtzite et est le matériau utilisé pour fabriquer des dispositifs électroluminescents pouvant résister à des environnements corrosifs.Le nitrure de gallium est préparé par la réaction de Ga2O3 avec NH3 à des températures élevées de l'ordre de 1000°C.
| Substrat de nitrure de gallium--Niveau de recherche | |
| Dimensions | 10*10mm |
| Épaisseur | 0,6 ~ 0,8 mm |
| Orientation | (100)hors 6° |
| Se doper | Fe |
| Surface polie | Poli d'un seul côté |
| Résistivité/Nd-Na | / |
| FWHM | <350 secondes d'arc |
| Ra | ≤5nm |
| Emballer | Conditionné en salle blanche classe 100, sous atmosphère d'azote |
À propos de nous
Nous nous spécialisons dans le traitement d'une variété de matériaux en plaquettes, substrats et pièces en verre optique personnalisées. Composants largement utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et de nombreux autres domaines.Nous avons également travaillé en étroite collaboration avec de nombreuses universités, institutions de recherche et entreprises nationales et étrangères, fournissant des produits et services personnalisés pour leurs projets de R&D.C'est notre vision de maintenir une bonne relation de coopération avec tous nos clients grâce à notre bonne réputation.
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