Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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FWHM2O3<350arcsec Ga=""> gaufrette Crystal Substrate Thickness simple 0.6~0.8mm
épaisseur de polissage simple Sn-enduite 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec GA2O3 de monocristal de 10x15mm 2(010) de substrat de catégorie libre de produit, dispositifs optoélectroniques de la résistance 2.00E+17Ω/cm-3 de Ra≤0.5nm, couches d'isolation de matériaux de semi-conducteur, et filtres UV
Il y a cinq phases cristallines de GA2 O3, mais bêta-GA2 O3 est le seul qui peut exister stablement à température élevée. Β-GA2 O3 est un nouveau type de matériel transparent de semi-conducteur de bandgap de la taille ultra avec une largeur de bande interdite environ par exemple de l'eV =4.8, qui approprié à fabriquer les dispositifs de puissance verticaux de structure de puissance élevée avec la densité à forte intensité. Il a des perspectives d'application dans les domaines des détecteurs d'ultraviolets, des diodes électroluminescentes (LED) et des capteurs de gaz.
| Substrat de nitrure de gallium--Niveau de recherches | ||
| Dimension | 10*15mm | 10*10mm |
| Épaisseur | 0.6~0.8mm | |
| Orientation | (010) | |
| Dopage | Sn | |
| Surface polie | Côté simple poli | |
| Resistivity/Nd-Na | 2.00E+17 | 1.53E+18 |
| FWHM | <350arcsec> | |
| Ra | ≤0.5nm | |
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, sous une atmosphère d'azote | |
Au sujet de nous
Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et parts.components en verre optique adapté aux besoins du client très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'électronique opto et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D. C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bonnes réputations.
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Paiement <>
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